กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/7310
ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
ฟิลด์ DC ค่าภาษา
dc.contributor.advisorนิรันดร์ วิทิตอนันต์
dc.contributor.advisorสุรสิงห์ ไชยคุณ
dc.contributor.authorจินดาวรรณ ธรรมปรีชา
dc.contributor.otherมหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned2023-05-12T03:45:38Z
dc.date.available2023-05-12T03:45:38Z
dc.date.issued2561
dc.identifier.urihttps://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/7310
dc.descriptionดุษฎีนิพนธ์ (ปร.ด.)--มหาวิทยาลัยบูรพา, 2561
dc.description.abstractฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนต (ZrTiO4 ) ถูกเคลือบบนกระจกสไลด์ แผ่นซิลิกอน และแผ่นสเตนเลสด้วยวิธีรีแอคตีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง วัตถุประสงค์ของงานวิจัยนี้ศึกษาผลของการเคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงโดยไม่ให้ความร้อนเทียบกับการเคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงและให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 600˚C โครงสร้างผลึก ลักษณะเฉพาะสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงของฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนตถูกตรวจสอบด้วยการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ (XRD) กล้องจุลทรรศน์แรง อะตอม (AFM) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดชนิดฟิลด์อิมิชชัน (FE-SEM) Precision 0 Parametric Analyzer และสเปคโตรโฟโตมิเตอร์ ตามลําดับ เมื่อฟิล์ม ZrTiO4 เคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงกว่า 2.0 A โดยไม่ทําให้ความร้อน พบโครงสร้างผลึกแบบออร์โธรอมบิก ระนาบ (111) เมื่อกระแสไฟฟ้าเท่ากับ 2.5 A โดยไม่ให้ความร้อน มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูงและการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำเท่ากับ 43.38 และ 0.003 ตามลําดับ สําหรับดัชนีหักเห (n) ค่าสัมประสิทธิrการดับสูญ (k) และความหนาแน่นของการบรรจุออปติคัลที่ความยาวคลื่น 650 นาโนเมตรมีค่าเท่ากับ 2.23, 0.008 และ 0.96 ตามลําดับ ในขณะที่แถบพลังงาน (Eg ) มีค่าประมาณ 4.07 eV จากการศึกษานี้พบว่าค่าดัชนีหักเหขึ้นอยู่กับความหนาแน่นของการบรรจุออปติคัล ส่วนฟิล์ม ZrTiO4 ที่เคลือบกระแสไฟฟ้าสูงเท่ากับ 2.5 A และให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 600˚C มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง และการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำเท่ากับ 81.39 และ 0.0018 ตามลําดับ ซึ่งมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูงกว่างานวิจัยอื่น เนื่องจากระบบสปัตเตอริงมีพลังงานสูง
dc.language.isoth
dc.publisherคณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.rightsมหาวิทยาลัยบูรพา
dc.subjectมหาวิทยาลัยบูรพา -- สาขาวิชาฟิสิกส์
dc.subjectฟิล์มบาง
dc.subjectสปัตเตอริง (ฟิสิกส์)
dc.subjectคุณภาพกำลังไฟฟ้า
dc.subjectเซอร์โคเนียมไททาเนต
dc.titleการเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนตที่เคลือบด้วยวิธีแอคตีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง
dc.title.alternativePreprtion nd chrcteriztion of zirconium titnte thin film deposited by rective mgnetron co-sputtering method
dc.typeวิทยานิพนธ์/ Thesis
dc.description.abstractalternativeZirconium Titanate (ZrTiO4 ) thin films were deposited on glass slides, silicon wafers and stainless steels by reactive dc magnetron co-sputtering method. The purpose of this study was to investigate the effects of high sputtering current without heating compare with high sputtering current and heating 600˚C. The crystal structure, surface morphology, dielectric and optical properties were characterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), field emission scanning electron microscope (FE-SEM), precision impedance analyzer and spectrophotometer, respectively. At sputtering currents above 2.0 A without heating ZrTiO4 thin film has structured as the orthorhombic phase (111). When the sputtering currents is equal to 2.5 A without heating, the film has a high dielectric constant and low dielectric loss values in which 43.38 and 0.003, respectively. For the refractive index (n), extinction coefficient (k) and the optical packing density at wavelength 650 nm were found as 2.23, 0.008, and 0.96 respectively, while energy band gap (Eg ) was approximately 4.07 eV. From this study, it was observed that the refractive index values were dependent on optical packing density. ZrTiO4 films with a sputtering currents of 2.5 A heated with temperature at 600˚C provided a high dielectric constant and low dielectric loss were 81.39 and 0.0018, respectively. The dielectric constant is higher than other research because the sputtering system has high energy.
dc.degree.levelปริญญาเอก
dc.degree.disciplineฟิสิกส์
dc.degree.nameปรัชญาดุษฎีบัณฑิต
dc.degree.grantorมหาวิทยาลัยบูรพา
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:วิทยานิพนธ์ (Theses)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม รายละเอียด ขนาดรูปแบบ 
Fulltext.pdf10.75 MBAdobe PDFดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น