กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/3596ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
| ฟิลด์ DC | ค่า | ภาษา |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | นิรันดร์ วิทิตอนันต์ | |
| dc.contributor.author | สุรสิงห์ ไชยคุณ | |
| dc.contributor.other | มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์ | |
| dc.date.accessioned | 2019-06-13T03:27:14Z | |
| dc.date.available | 2019-06-13T03:27:14Z | |
| dc.date.issued | 2559 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/3596 | |
| dc.description.abstract | งานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาวิธีการวัดความหนาของฟิล์มบางที่มีความหนาระดับนาโนเมตรด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์สเปคโตรสโคปีแบบกระจายพลังงาน (EDS) ซึ่งติดตั้งต่อพ่วงอยู่กับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ฟิล์มบางโลหะที่ใช้เป็นตัวอย่างในการศึกษาคือฟิล์มบางโครเมียม (Cr) ที่เคลือบบนกระจกสไลด์และแผ่นซิลิกอนด้วยวิธีสปัตเตอริง โดยโครงสร้างผลึก ความหยาบผิว ความหนาโครงสร้างจุลภาค และ องค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มบางที่เตรียมได้ถูกศึกษาด้วยเทคนิคต่าง ๆ ได้แก่ GA-XRD, AFM, FE-SEM และ EDS ตามลำดับ ผลการศึกษาพบว่าฟิล์มที่เคลือบได้มีสีเทาเข้มมันวาว ผิวเนียนเรียบ สะท้อนแสงดี ความหนาของฟิล์มที่ใช้ในงานวิจัยนี้มีค่าอยู่ในช่วง 50.5 - 284.5 nm โดยความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะของ Cr L จากชั้นฟิล์มกับความหนาของฟิล์ม สัมพันธ์กันตามสมการ I I (1- e )- dd s เมื่อ Id เป็นความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะจากชั้นฟิล์มที่มีความหนาเท่ากับ d และ Is เป็นความเข้มอิ่มตัวของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะส่วนเป็นค่าสัมประสิทธิ์การลดทอนเชิงเส้น ส่วนความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะของ Si K จากวัสดุรองรับกับความหนาฟิล์ม สัมพันธ์กันตามสมการ- d d s I I e เมื่อ Id เป็นความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะจากชั้นฟิล์มที่มีความหนาเท่ากับ d และ Is เป็นความเข้มรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะของวัสดุรองรับที่ยังไม่มีชั้นของฟิล์มบางเคลือบทับส่วน เป็นค่าสัมประสิทธิ์การลดทอนเชิงเส้น ความหนาของฟิล์มบางจากเทคนิคเอกซ์เรย์สเปคโตรสโคปีแบบกระจายพลังงานในงานวิจัยนี้มีความถูกต้องถึง 95% เมื่อเทียบกับความหนาของฟิล์มบางที่ได้จากเทคนิค FE-SEM | th_TH |
| dc.description.sponsorship | โครงการวิจัยประเภทงบประมาณรายได้จากเงินอุดหนุนรัฐบาล (งบประมาณเงินแผ่นดิน) ประจำปีงบประมาณ พ.ศ. 2559 | th_TH |
| dc.language.iso | th | th_TH |
| dc.publisher | คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา | th_TH |
| dc.subject | ฟิล์มบาง -- พื้นผิว | th_TH |
| dc.subject | สปัตเตอริง (ฟิสิกส์) | th_TH |
| dc.subject | สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ | th_TH |
| dc.title | การวัดความหนาของฟิล์มบางโลหะจากการสปัตเตอร์ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์สเปคโตรสโคปีแบบกระจายพลังงาน | th_TH |
| dc.title.alternative | Thickness measurement of metal sputtered thin film by energy dispersive X-ray spectroscopy technique | th_TH |
| dc.type | Research | th_TH |
| dc.author.email | nirun@buu.ac.th | |
| dc.author.email | surasing@buu.ac.th | |
| dc.year | 2559 | th_TH |
| dc.description.abstractalternative | The objective of this research work is to study the thickness measurement of the thin films with the nanometer range in thickness by energy dispersive X-ray spectroscopy technique (EDS), which equips in the scanning electron microscope (SEM). The metal thin films of chromium (Cr) were deposited on glass slides and silicon substrates by sputtering method. The Crystal structure, roughness, thickness, microstructure and chemical composition of the as-deposited thin films were characterized by various techniques, such as GA-XRD, AFM, FE-SEM, and EDS technique, respectively. The results showed that the as-deposited chromium films exhibit bright color of dark gray, smooth surface and highly reflectance. The thickness of the films in this study is in the range of 50.5 - 284.5 nm. The intensity of the characteristic X-ray of Cr L from films are related to film thickness obeyed the equation asI I (1- e ) - dd s , where Id is the intensity of the characteristic X-ray from the film thickness d, Is is the saturation intensity of the characteristic X-ray and is the linear attenuation coefficient. The intensity of the characteristic X-ray of Si K from substrates are related to film thickness obeyed the equation as- d d s I I e, where Id is the intensity of the characteristic X-ray from the film thickness d, Is is the intensity of the characteristic X-ray from bare Si substrate and is the linear attenuation coefficient. The thickness of the thin films from the mathematical models in this research work is agreement with the thickness from FE-SEM technique of 95% | en |
| ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | รายงานการวิจัย (Research Reports) | |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
| แฟ้ม | รายละเอียด | ขนาด | รูปแบบ | |
|---|---|---|---|---|
| 2563_056.pdf | 10.14 MB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น