กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2633| ชื่อเรื่อง: | การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง |
| ชื่อเรื่องอื่นๆ: | Preparation and characterization of CrVN thin films deposited by reactive dc magmetron co-sputtering |
| ผู้แต่ง/ผู้ร่วมงาน: | อดิศร บูรณวงศ์ สิทธิวัฒน์ อุ่นจิตร สุรสิงห์ ไชยคุณ มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์ |
| คำสำคัญ: | ฟิล์มบาง รีแอคตีฟ โคสปัตเตอริง วิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ โครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ |
| วันที่เผยแพร่: | 2557 |
| บทคัดย่อ: | ฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ (CrVN) ถูกเคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริงบนกระจกสไลด์และซิลิกอน เพื่อศึกษาผลของกระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์ของเปาวาเนเดียม (IV) ต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟืล์ม ด้วยเทคนิค XRD และ AFM ตามลําดับ ผลการศึกษาพบว่าค่ากระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์เปาวาเนเดียมมีผลโดยตรงต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟิล์ม ฟิล์มที่ได้แสดงโครงสร้างผลึกของวาเนเดียมไนไตรด์ ระนาบ(222) (400) และ (404) ความหนาและความหยาบผิวของฟิล์มที่ได้มีค่าในช่วง 883 -1048 นาโนเมตร และ 3.75-4.96 นาโนเมตรตามลําดับ |
| URI: | http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2633 |
| ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | บทความวิชาการ (Journal Articles) |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น