กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2633ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
| ฟิลด์ DC | ค่า | ภาษา |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | อดิศร บูรณวงศ์ | |
| dc.contributor.author | สิทธิวัฒน์ อุ่นจิตร | |
| dc.contributor.author | สุรสิงห์ ไชยคุณ | |
| dc.contributor.other | มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์ | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-25T09:16:10Z | |
| dc.date.available | 2019-03-25T09:16:10Z | |
| dc.date.issued | 2557 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2633 | |
| dc.description.abstract | ฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ (CrVN) ถูกเคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริงบนกระจกสไลด์และซิลิกอน เพื่อศึกษาผลของกระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์ของเปาวาเนเดียม (IV) ต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟืล์ม ด้วยเทคนิค XRD และ AFM ตามลําดับ ผลการศึกษาพบว่าค่ากระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์เปาวาเนเดียมมีผลโดยตรงต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟิล์ม ฟิล์มที่ได้แสดงโครงสร้างผลึกของวาเนเดียมไนไตรด์ ระนาบ(222) (400) และ (404) ความหนาและความหยาบผิวของฟิล์มที่ได้มีค่าในช่วง 883 -1048 นาโนเมตร และ 3.75-4.96 นาโนเมตรตามลําดับ | th_TH |
| dc.language.iso | th | th_TH |
| dc.subject | ฟิล์มบาง | th_TH |
| dc.subject | รีแอคตีฟ โคสปัตเตอริง | th_TH |
| dc.subject | วิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ | th_TH |
| dc.subject | โครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ | th_TH |
| dc.title | การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง | th_TH |
| dc.title.alternative | Preparation and characterization of CrVN thin films deposited by reactive dc magmetron co-sputtering | en |
| dc.type | บทความวารสาร | th_TH |
| dc.issue | ฉบับพิเศษ การประชุมวิชาการระดับชาติ วิทยาศาสตร์วิจัยครั้งที่ 6 | |
| dc.volume | 19 | |
| dc.year | 2557 | |
| dc.description.abstractalternative | Chromium vanadium nitride (CrVN) thin film was deposited by reactive DC magnetron co-sputtering method on glass slide and silicon. The effect of vanadium sputtering current (IV) on the crystal structure, surface morphology and thickness of thin film were investigated by XRD and AFM techniques, respectively. The result show that the influence of vanadium sputtering current has dominate the crystal structure , surface morphology and thickness of thin film. The as-deposited films were compose of CrVN with (111), (200), (220) planes. The roughness and thickness of the as-deposited films were in the range of 883 to 1048 nm and 3.75 to 4.96 nm, respectively. | en |
| dc.journal | วารสารวิทยาศาสตร์บูรพา = Burapha Science Journal | |
| dc.page | 78-86. | |
| ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | บทความวิชาการ (Journal Articles) | |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น