ผลของความดันย่อยไนโตรเจนต่อสมบัติทางโครงสร้างและทางไฟฟ้าของฟิล์มบางไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์

กัญจน์ชญา หงส์เลิศคงสกุล; ภัททิรา หอมหวล; จิราภรณ์ พงษ์โสภา

dc.contributor.author	กัญจน์ชญา หงส์เลิศคงสกุล
dc.contributor.author	ภัททิรา หอมหวล
dc.contributor.author	จิราภรณ์ พงษ์โสภา
dc.contributor.other	มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned	2019-03-25T09:18:55Z
dc.date.available	2019-03-25T09:18:55Z
dc.date.issued	2557
dc.identifier.uri	http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2817
dc.description.abstract	ฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ถูกปลูกลงบนแผ่นรองรับซิลิกอนที่มีระนาบ (100) ด้วยกระบวนการฉาบโลหะแมกนีตรอนระบบสองหัวแบบไม่ดุลโดยใช้เป้าโลหะไทเทเนียม และเป้าโลหะทังสเตนบริสุทธิ์ภายใต้บรรยากาศอาร์กอนและไนโตรเจน งานวิจัยนี้ศึกษาผลของความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนต่อสมบัติ ของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ ความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนในระบบสุญญากาศถูกปรับให้มีค่าตั้งแต่ 0% ถึง 9% ของปริมาณแก๊สทั้งหมด ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนส่งผลอย่างมากต่อองค์ประกอบทางเคมี โครงสร้างของผลึกและความต้านทานแผ่นเอกซเรย์สเปกโทรสโกปแบบกระจายพลังงานแสดงสัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์ม โดยสัดส่วนมีแนวโน้มเพิ่มขึ้น เมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน สัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์มมีค่าสูงสุดที่ 19% โดยอะตอม เครื่องวิเคราะห์การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์แสดงโครงสร้างผลึกของฟิล์มเป็นลูกบาศก์แบบกลางหน้าของสารละลายของแข็ง TixWYNZ ค่าความต้านทานแผ่นของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน โดยค่าความต้านทานแผ่นเพิ่มขึ้นจาก 5.3 โอห์ม/ตารางถึง 11.0 โอห์ม/ตาราง	th_TH
dc.language.iso	th	th_TH
dc.subject	ฟิล์มบาง	th_TH
dc.subject	ไนโตรเจน	th_TH
dc.subject	ไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์	th_TH
dc.subject	สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์	th_TH
dc.title	ผลของความดันย่อยไนโตรเจนต่อสมบัติทางโครงสร้างและทางไฟฟ้าของฟิล์มบางไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์	th_TH
dc.title.alternative	Effects of nitrogen partial pressure on the structural and electrical properties of Ti-W-N thin films	en
dc.type	บทความวารสาร	th_TH
dc.issue	ฉบับพิเศษ การประชุมวิชาการระดับชาติ วิทยาศาสตร์วิจัยครั้งที่ 6
dc.volume	19
dc.year	2557
dc.description.abstractalternative	Titanium tungsten nitride films on Si (100) were grown by dual unbalanced magnetron sputtering with pure Ti and W target under argon/nitrogen atmosphere. We studied the effects of nitrogen partial pressure on the properties of Ti-W-N thin films. The nitrogen partial pressure in the vacuum chamber was varied from 0% to 9% of total gas. The results showed that the nitrogen partial pressure strongly affected on composition, crystal structure and sheet resistance. Energy dispersive x-ray analysis (EDX) showed that the nitrogen concentration in films increased with the nitrogen partial pressure. The maximum nitrogen concentration was 19 at.%. X-ray diffraction analysis confirmed FCC solid solution TixWYNZ in films. The sheet resistance of Ti-W-N films tended to increase with an increase in nitrogen partial pressure. The sheet resistance varied from 5.3/square to 11.0/square	en
dc.journal	วารสารวิทยาศาสตร์บูรพา = Burapha science journal
dc.page	318-327.