การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง

อดิศร บูรณวงศ์; สิทธิวัฒน์ อุ่นจิตร; สุรสิงห์ ไชยคุณ

dc.contributor.author	อดิศร บูรณวงศ์
dc.contributor.author	สิทธิวัฒน์ อุ่นจิตร
dc.contributor.author	สุรสิงห์ ไชยคุณ
dc.contributor.other	มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned	2019-03-25T09:16:10Z
dc.date.available	2019-03-25T09:16:10Z
dc.date.issued	2557
dc.identifier.uri	http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2633
dc.description.abstract	ฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ (CrVN) ถูกเคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอนโคสปัตเตอริงบนกระจกสไลด์และซิลิกอน เพื่อศึกษาผลของกระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์ของเปาวาเนเดียม (IV) ต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟืล์ม ด้วยเทคนิค XRD และ AFM ตามลําดับ ผลการศึกษาพบว่าค่ากระแสไฟฟ้าในการสปัตเตอร์เปาวาเนเดียมมีผลโดยตรงต่อโครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิวและความหนาของฟิล์ม ฟิล์มที่ได้แสดงโครงสร้างผลึกของวาเนเดียมไนไตรด์ ระนาบ(222) (400) และ (404) ความหนาและความหยาบผิวของฟิล์มที่ได้มีค่าในช่วง 883 -1048 นาโนเมตร และ 3.75-4.96 นาโนเมตรตามลําดับ	th_TH
dc.language.iso	th	th_TH
dc.subject	ฟิล์มบาง	th_TH
dc.subject	รีแอคตีฟ โคสปัตเตอริง	th_TH
dc.subject	วิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์	th_TH
dc.subject	โครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์	th_TH
dc.title	การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมวาเนเดียมไนไตรด์ที่เคลือบ ด้วยวิธีรีแอคตีฟ ดีซีแมกนีตรอน โคสปัตเตอริง	th_TH
dc.title.alternative	Preparation and characterization of CrVN thin films deposited by reactive dc magmetron co-sputtering	en
dc.type	บทความวารสาร	th_TH
dc.issue	ฉบับพิเศษ การประชุมวิชาการระดับชาติ วิทยาศาสตร์วิจัยครั้งที่ 6
dc.volume	19
dc.year	2557
dc.description.abstractalternative	Chromium vanadium nitride (CrVN) thin film was deposited by reactive DC magnetron co-sputtering method on glass slide and silicon. The effect of vanadium sputtering current (IV) on the crystal structure, surface morphology and thickness of thin film were investigated by XRD and AFM techniques, respectively. The result show that the influence of vanadium sputtering current has dominate the crystal structure , surface morphology and thickness of thin film. The as-deposited films were compose of CrVN with (111), (200), (220) planes. The roughness and thickness of the as-deposited films were in the range of 883 to 1048 nm and 3.75 to 4.96 nm, respectively.	en
dc.journal	วารสารวิทยาศาสตร์บูรพา = Burapha Science Journal
dc.page	78-86.