DSpace Repository

การเตรียมฟิล์มบางต้านการกัดกร่อนซึ่งเคลือบด้วยกระบวนการ PVD

Show simple item record

dc.contributor.author นิรันดร์ วิทิตอนันต์ th
dc.contributor.author สุรสิงห์ ไชยคุณ th
dc.contributor.other มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned 2019-03-25T09:07:10Z
dc.date.available 2019-03-25T09:07:10Z
dc.date.issued 2558
dc.identifier.uri http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/1540
dc.description.abstract ฟิล์มบางไทเทเนียมอะลูมิเนียมไนไตรด์ (TiAlN) เคลือบด้วยวิธีรีแอคตีฟโคสปัตเตอริง เพื่อศึกษาผลของพารามิเตอร์การเคลือบ ได้แก่ อัตราไหลแก๊สไนโตรเจน และ กำลังไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียมต่อโครงสร้างของฟิล์ม ทั้งนี้โครงสร้างผลึก ลักษณะพื้นผิว ความหนา ความหยาบผิว และองค์ประกอบธาตุ ศึกษาด้วยเทคนิค XRD, AFM, FE-SEM และ EDX ตามลำดับ ผลการศึกษาพบว่าโครงสร้างของฟิล์มที่เคลือบได้แปรตามพารามิเตอร์ของการเคลือบ ฟิล์มที่เคลือบได้มีโครงสร้างผลึกของไทเทเนียมอะลูมิเนียมไนไตรด์ระนาบ (111) และ (200) โดยมีไทเทเนียม อะลูมิเนียม และไนโตรเจน เป็นองค์ประกอบ ทั้งนี้ (1) กรณีแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน พบว่า เมื่ออัตราไหลแก๊สไนโตรเจนเพิ่มขึ้น ขนาดผลึกมีค่าเพิ่มขึ้นจาก 22.7 nm เป็น 33.4 nm ความหนาฟิล์มลดลงจาก 381 nm เป็น 131 nm ความหยาบผิวมีค่าในช่วง 1.8– 2.7 nm สาหรับ (2) กรณีแปรค่ากำลังไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียม พบว่า เมื่อกำลังไฟฟ้าของเป้าไทเทเนียมเพิ่มขึ้นขนาดผลึกลดลงจาก 30.4 nm เป็น 33.4 nm ความหนาเพิ่มขึ้นจาก 79 nm เป็น 226 nm ส่วนความหยาบผิว มีค่าในช่วง 1.3 – 2.7 nm ทั้งนี้ฟิล์มไทเทเนียมอะลูมิเนียมไนไตรด์ที่เคลือบบนเหล็กแสดงสมบัติ การต้านการกัดกร่อนได้ th_TH
dc.description.sponsorship โครงการวิจัยประเภทงบประมาณเงินรายได้ เงินอุดหนุนจากรัฐบาล (งบประมาณแผ่นดิน) ประจำปีงบประมาณ 2556 en
dc.language.iso th th_TH
dc.publisher คณะวิทยาศาสตร์. มหาวิทยาลัยบูรพา th_TH
dc.subject การเคลือบ th_TH
dc.subject ฟิล์มบาง th_TH
dc.subject วิธีสปัตเตอริง th_TH
dc.subject สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ th_TH
dc.title การเตรียมฟิล์มบางต้านการกัดกร่อนซึ่งเคลือบด้วยกระบวนการ PVD th_TH
dc.title.alternative Preparation of anti-corrosion thin films deposited by PVD process en
dc.type งานวิจัย
dc.year 2558
dc.description.abstractalternative Titanium aluminium nitride (TiAlN) thin films were deposited by reactive DC co-sputtering method. The effect of deposition parameters, nitrogen gas flow rate and titanium sputtering target power, on the structure of the as-deposited film was investigated. The crystal structure, surface morphology, thickness, roughness and elemental composition were characterized by XRD, AFM, FE-SEM and EDX, respectively. The results show that the structure of the as-deposited film was varied with deposition parameters. The as-deposited films were composed of TiAlN with (111) and (200) planes, which has titanium aluminium and nitrogen as the elemental composition. (1) In case of vary nitrogen gas flow rate, it was found that, the crystal size increased from 22.7 nm to 33.4 nm, the thickness decreased from 381 nm to 131 nm and the roughness was in range of 1.8 – 2.7 nm, with increasing of nitrogen gas flow rate. (2) In case of vary titanium sputtering target power, it was found that, the crystal size decreased from 30.4 nm to 33.4 nm, the film’s thickness increased from 79 nm to 226 nm and the roughness were in range of 1.3 – 2.7 nm, with increasing of titanium sputtering target power. In addition the as-deposited TiAlN films on steel show the anti-corrosion property. en


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account