DSpace Repository

ผลของกระแสเซอร์โคเมียมคาโทดที่มีต่อสมบัติของฟิล์มบางโครเนียมเซอร์เมียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยเทคนิคครีแอกทีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง

Show simple item record

dc.contributor.author สุรสิงห์ ไชยคุณ
dc.contributor.author นิรันดร์ วิฑิตอนันต์
dc.contributor.author อดิศร บูรณวงศ์
dc.contributor.other มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned 2019-03-25T09:07:09Z
dc.date.available 2019-03-25T09:07:09Z
dc.date.issued 2557
dc.identifier.uri http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/1518
dc.description.abstract ฟิล์มบางโครเมียมเซอร์โรเนียมไนไตร์ด (CrZrN) เคลือบบนกระจกสไลด์และแผ่นซิลิกอนด้วยวิธีดีซีรีแอคทีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง เพื่อศึกษาผลของกระแสสปัตเตอริงเป้าเซอร์โคเนียมและอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนต่อโครงสร้างฟิล์ม ทั้งนี้ลักษณะเฉพาะของฟิล์มที่เคลือบได้ด้วยเทคนิค XRD, AFM, EDX และ FE-SEM ผลการศึกษาพบว่า ฟิล์มที่เคลือบได้เป็นสารละลายของแข็งของ (Cr, Zr) N ระนาบ (111) และ (200)โครงสร้างของฟิล์มเปลี่ยนตามแนวอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนและกระแสไฟฟ้าของเป่าเซอร์โคเนียม (1) สำหรับกรณีแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน ขนาดผลึกและความหนาฟิล์ม มีค่าลดลงจาก 569 nm เป็น 363 nm และจาก 17.8 nm เป็น 13.4 nm ตามลำดับ เมื่อเพิ่มอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนค่าคงที่แลตทิซพบว่าค่าเพิ่มขึ้นจาก 4.327 A เป็น 4.425 A เมื่อเพิ่มอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน การวิเคราะห์ภาคตัดขวางแสดงให้เห็นว่าฟิล์มมีโครงสร้างแบบคอลัมนาร์และมีลักษณะแน่นมากขึ้นตามอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน และ (2) สำหรับกรณีแปรค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าเซอร์โคเนียม ขนาดผลึกมีค่าในช่วง 11.5-12.4 nm ค่าคงที่แลตทิซและความหนามีค่าเพิ่มขึ้นตามค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าเซอร์โคเนียมจาก 4.1704 A ถึง 4.3274 A และ 423 nm ถึง 569 nm ตามลำดับ การวิเคราะห์ภาคตัดขวางแสดงให้เห็นว่าฟิล์มมีโครงสร้างแบบคอลัมนาร์และมีลักษณะแน่นมากขึ้นเมื่อเพิ่มค่ากระแสไฟฟ้าของเป้า th_TH
dc.description.sponsorship โครงการวิจัยประเภทงบประมาณเงินรายได้จากเงินอุดหนุนจากรัฐบาล (งบประมาณแผ่นดิน) ประจำปีงบประมาณ พ.ศ. 2557 en
dc.language.iso th th_TH
dc.publisher คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา th_TH
dc.subject กระแสสปัตเตอริง th_TH
dc.subject ฟิล์มบาง th_TH
dc.subject รีแอคทีฟโคสปัตเตอริง th_TH
dc.subject สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ th_TH
dc.title ผลของกระแสเซอร์โคเมียมคาโทดที่มีต่อสมบัติของฟิล์มบางโครเนียมเซอร์เมียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยเทคนิคครีแอกทีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง th_TH
dc.title.alternative Effect of Zirconium cathode current on properties of chroomiumZirconium Nitride Thin film deposited by reactive magnetron Co-sputtering technique en
dc.type Research th_TH
dc.year 2557
dc.description.abstractalternative Chromium zirconium nitride (CrZrN) thin films were deposited on glass slide and Si by reactive magnetron co-sputtering method. The effect of the N2 gas flow rate and the zirconium sputtering current on the films’ structure was investigated. The as-deposited films were characterized by XRD, AFM, EDX and FE-SEM. The results showed that the as-deposited films were (Cr,Zr)N Solid solution with (111) and (200) planes. The structure of the as-deposited films varied with the zirconium sputtering current and the N2 gas flow rates. (1) In case of varied N2 gas flow rate, the crystal size and thickness decreased from 569 nm to 363 nm and 17.8 nm to 13.4 nm, respectively, with increasing N2 gas flow rates. The lattice constant was found to increase from 4.327 A to 4.425 A with increasing N2 gas flow rate. The cross section analysis showed compact columnar and dense morphology as a result of increasing N2 gas flow rates. (2) In case of varied zirconium sputtering current, the crystal size was in range of 11.5-12.4 nm. The lattice constant and thickness were increased with increasing of the zirconium current from 4.1704 A to 4.3274 A and 423 nm to 569 nm, respectively. The cross section analysis showed compact columnar and dense morphology as increasing the zirconium current. en


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account