กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/6136
ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
ฟิลด์ DC ค่าภาษา
dc.contributor.advisorนิรันดร์ วิทิตอนันต์
dc.contributor.authorวิรุฬห์ พรมมากุล
dc.contributor.otherมหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned2023-05-12T02:25:51Z
dc.date.available2023-05-12T02:25:51Z
dc.date.issued2560
dc.identifier.urihttps://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/6136
dc.descriptionวิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--มหาวิทยาลัยบูรพา, 2560
dc.description.abstractงานวิจัยนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาวิธีการวัดความหนาของฟิล์มบางที่มีความหนาระดับนาโนเมตรด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์สเปคโตรสโคปี แบบกระจายพลังงาน (EDS) ซึ่งติดตั้งต่อพ่วงอยู่กับกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ฟิลม์ ตัวอย่างในการศึกษาคือฟิลม์ โครเมียม (Cr) ที่เคลือบบนกระจกสไลด์และแผ่นซิลิกอนด้วยวิธีสปัตเตอริง โดยโครงสร้างผลึก ความหยาบผิว ความหนา โครงสร้างจุลภาค และองค์ประกอบทางเคมีของฟิล์มศึกษาด้วยเทคนิค GA-XRD, AFM, FE-SEM และ EDS ตามลำดับ ผลการศึกษาพบว่าฟิลม์ที่เคลือบได้มีสีเทาเข้ม ผิวเนียนเรียบ มันวาวสะท้อนแสงดี ความหนาของฟิล์มบางที่ใชในงานวิจัยมีค่าอยู่ในช่วง 50.5 -284.5 nm โดยความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะของ Cr L จากฟิลม์กับความหนาฟิลม์ สัมพนัธ์กันตามสมการ I I (1- e ) - d d s   ส่วนความเข้มของรังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะของSi K จากวัสดุรองรับกับความหนาฟิลม์ สัมพันธ์กันตามสมการ - d d s I I e   เมื่อ Id เป็นความเข้มของ รังสีเอกซ์ลักษณะเฉพาะจากฟิลม์ ที่มีความหนาเท่ากับ d และ Is เป็นความเข้มอิ่มตัวของรังสีเอกซ์ ลักษณะเฉพาะ ส่วน  เป็น ค่าสัมประสิทธ์ิการลดทอนเชิงเส้น ทั้งนี้ความหนาของฟิล์มบาง จากเทคนิคเอกซ์เรยส์ เปคโตรสโคปีแบบกระจายพลังงานในงานวิจัยนี้มีความถูกต้องถึง 95% เมื่อเทียบกับความหนาของฟิลม์ บางที่ได้จากเทคนิค FE-SEM
dc.language.isoth
dc.publisherคณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.rightsมหาวิทยาลัยบูรพา
dc.subjectมหาวิทยาลัยบูรพา -- สาขาวิชาฟิสิกส์
dc.subjectฟิล์มบาง -- พื้นผิว
dc.titleการวัดความหนาของฟิล์มบางนาโนด้วยเทคนิคเอกซเรย์สเปคโตรสโคปีแบบกระจายพลังงาน
dc.title.alternativeThickness mesurement of nno thin film by energy dispersive x-ry spectroscopy technique
dc.typeวิทยานิพนธ์/ Thesis
dc.description.abstractalternativeThe objective of this research work is to study the thickness measurement of the thin film with the thickness scale in the range of the nanometerusing energy dispersive X-ray spectroscopy technique (EDS), which equips in the scanning electron microscope (SEM). The metal thin films of chromium (Cr) weredeposited on glass slides and silicon substrates by sputtering method. The Crystal structure, roughness, thickness, microstructure and elemental component of films were characterized by GA-XRD, AFM, FE-SEM, and EDS technique, respectively. The results showed that the as-deposited chromium thin films exhibitvery bright color ofdark gray, smooth surface and highly reflectance. The thickness of the films in this study is in the range of 50.5 -284.5 nm. The intensity of the characteristic X-ray of Cr L from films are related to film thickness obeyed the equation as I I (1- e ) - d d s   , while the intensity of the characteristic X-ray of Si K from substrates are related to film thickness obeyed the equation of - d d s I I e   , where Id is the intensity of the characteristic X-ray from the film thickness d, Is is the saturation intensity of the characteristic X-ray and  is the linear attenuation. The thickness of the films from this models is agreement with the thickness from FE-SEM techniqueof 95%.
dc.degree.levelปริญญาโท
dc.degree.disciplineฟิสิกส์
dc.degree.nameวิทยาศาสตรมหาบัณฑิต
dc.degree.grantorมหาวิทยาลัยบูรพา
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:วิทยานิพนธ์ (Theses)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม รายละเอียด ขนาดรูปแบบ 
57912236.pdf7.32 MBAdobe PDFดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น