กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2817
ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
ฟิลด์ DC ค่าภาษา
dc.contributor.authorกัญจน์ชญา หงส์เลิศคงสกุล
dc.contributor.authorภัททิรา หอมหวล
dc.contributor.authorจิราภรณ์ พงษ์โสภา
dc.contributor.otherมหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned2019-03-25T09:18:55Z
dc.date.available2019-03-25T09:18:55Z
dc.date.issued2557
dc.identifier.urihttp://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2817
dc.description.abstractฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ถูกปลูกลงบนแผ่นรองรับซิลิกอนที่มีระนาบ (100) ด้วยกระบวนการฉาบโลหะแมกนีตรอนระบบสองหัวแบบไม่ดุลโดยใช้เป้าโลหะไทเทเนียม และเป้าโลหะทังสเตนบริสุทธิ์ภายใต้บรรยากาศอาร์กอนและไนโตรเจน งานวิจัยนี้ศึกษาผลของความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนต่อสมบัติ ของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ ความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนในระบบสุญญากาศถูกปรับให้มีค่าตั้งแต่ 0% ถึง 9% ของปริมาณแก๊สทั้งหมด ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนส่งผลอย่างมากต่อองค์ประกอบทางเคมี โครงสร้างของผลึกและความต้านทานแผ่นเอกซเรย์สเปกโทรสโกปแบบกระจายพลังงานแสดงสัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์ม โดยสัดส่วนมีแนวโน้มเพิ่มขึ้น เมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน สัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์มมีค่าสูงสุดที่ 19% โดยอะตอม เครื่องวิเคราะห์การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์แสดงโครงสร้างผลึกของฟิล์มเป็นลูกบาศก์แบบกลางหน้าของสารละลายของแข็ง TixWYNZ ค่าความต้านทานแผ่นของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน โดยค่าความต้านทานแผ่นเพิ่มขึ้นจาก 5.3 โอห์ม/ตารางถึง 11.0 โอห์ม/ตารางth_TH
dc.language.isothth_TH
dc.subjectฟิล์มบางth_TH
dc.subjectไนโตรเจนth_TH
dc.subjectไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์th_TH
dc.subjectสาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์th_TH
dc.titleผลของความดันย่อยไนโตรเจนต่อสมบัติทางโครงสร้างและทางไฟฟ้าของฟิล์มบางไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์th_TH
dc.title.alternativeEffects of nitrogen partial pressure on the structural and electrical properties of Ti-W-N thin filmsen
dc.typeบทความวารสารth_TH
dc.issueฉบับพิเศษ การประชุมวิชาการระดับชาติ วิทยาศาสตร์วิจัยครั้งที่ 6
dc.volume19
dc.year2557
dc.description.abstractalternativeTitanium tungsten nitride films on Si (100) were grown by dual unbalanced magnetron sputtering with pure Ti and W target under argon/nitrogen atmosphere. We studied the effects of nitrogen partial pressure on the properties of Ti-W-N thin films. The nitrogen partial pressure in the vacuum chamber was varied from 0% to 9% of total gas. The results showed that the nitrogen partial pressure strongly affected on composition, crystal structure and sheet resistance. Energy dispersive x-ray analysis (EDX) showed that the nitrogen concentration in films increased with the nitrogen partial pressure. The maximum nitrogen concentration was 19 at.%. X-ray diffraction analysis confirmed FCC solid solution TixWYNZ in films. The sheet resistance of Ti-W-N films tended to increase with an increase in nitrogen partial pressure. The sheet resistance varied from 5.3/square to 11.0/squareen
dc.journalวารสารวิทยาศาสตร์บูรพา = Burapha science journal
dc.page318-327.
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:บทความวิชาการ (Journal Articles)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม ขนาดรูปแบบ 
318-327.pdf966.25 kBAdobe PDFดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น