กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้:
https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2817
ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
ฟิลด์ DC | ค่า | ภาษา |
---|---|---|
dc.contributor.author | กัญจน์ชญา หงส์เลิศคงสกุล | |
dc.contributor.author | ภัททิรา หอมหวล | |
dc.contributor.author | จิราภรณ์ พงษ์โสภา | |
dc.contributor.other | มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์ | |
dc.date.accessioned | 2019-03-25T09:18:55Z | |
dc.date.available | 2019-03-25T09:18:55Z | |
dc.date.issued | 2557 | |
dc.identifier.uri | http://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/2817 | |
dc.description.abstract | ฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ถูกปลูกลงบนแผ่นรองรับซิลิกอนที่มีระนาบ (100) ด้วยกระบวนการฉาบโลหะแมกนีตรอนระบบสองหัวแบบไม่ดุลโดยใช้เป้าโลหะไทเทเนียม และเป้าโลหะทังสเตนบริสุทธิ์ภายใต้บรรยากาศอาร์กอนและไนโตรเจน งานวิจัยนี้ศึกษาผลของความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนต่อสมบัติ ของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ ความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนในระบบสุญญากาศถูกปรับให้มีค่าตั้งแต่ 0% ถึง 9% ของปริมาณแก๊สทั้งหมด ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจนส่งผลอย่างมากต่อองค์ประกอบทางเคมี โครงสร้างของผลึกและความต้านทานแผ่นเอกซเรย์สเปกโทรสโกปแบบกระจายพลังงานแสดงสัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์ม โดยสัดส่วนมีแนวโน้มเพิ่มขึ้น เมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน สัดส่วนของไนโตรเจนในฟิล์มมีค่าสูงสุดที่ 19% โดยอะตอม เครื่องวิเคราะห์การเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์แสดงโครงสร้างผลึกของฟิล์มเป็นลูกบาศก์แบบกลางหน้าของสารละลายของแข็ง TixWYNZ ค่าความต้านทานแผ่นของฟิล์มไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์มีแนวโน้มเพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มความดันย่อยของแก๊สไนโตรเจน โดยค่าความต้านทานแผ่นเพิ่มขึ้นจาก 5.3 โอห์ม/ตารางถึง 11.0 โอห์ม/ตาราง | th_TH |
dc.language.iso | th | th_TH |
dc.subject | ฟิล์มบาง | th_TH |
dc.subject | ไนโตรเจน | th_TH |
dc.subject | ไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ | th_TH |
dc.subject | สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ | th_TH |
dc.title | ผลของความดันย่อยไนโตรเจนต่อสมบัติทางโครงสร้างและทางไฟฟ้าของฟิล์มบางไทเทเนียมทังสเตนไนไตรด์ | th_TH |
dc.title.alternative | Effects of nitrogen partial pressure on the structural and electrical properties of Ti-W-N thin films | en |
dc.type | บทความวารสาร | th_TH |
dc.issue | ฉบับพิเศษ การประชุมวิชาการระดับชาติ วิทยาศาสตร์วิจัยครั้งที่ 6 | |
dc.volume | 19 | |
dc.year | 2557 | |
dc.description.abstractalternative | Titanium tungsten nitride films on Si (100) were grown by dual unbalanced magnetron sputtering with pure Ti and W target under argon/nitrogen atmosphere. We studied the effects of nitrogen partial pressure on the properties of Ti-W-N thin films. The nitrogen partial pressure in the vacuum chamber was varied from 0% to 9% of total gas. The results showed that the nitrogen partial pressure strongly affected on composition, crystal structure and sheet resistance. Energy dispersive x-ray analysis (EDX) showed that the nitrogen concentration in films increased with the nitrogen partial pressure. The maximum nitrogen concentration was 19 at.%. X-ray diffraction analysis confirmed FCC solid solution TixWYNZ in films. The sheet resistance of Ti-W-N films tended to increase with an increase in nitrogen partial pressure. The sheet resistance varied from 5.3/square to 11.0/square | en |
dc.journal | วารสารวิทยาศาสตร์บูรพา = Burapha science journal | |
dc.page | 318-327. | |
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล: | บทความวิชาการ (Journal Articles) |
แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม | ขนาด | รูปแบบ | |
---|---|---|---|
318-327.pdf | 966.25 kB | Adobe PDF | ดู/เปิด |
รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น