กรุณาใช้ตัวระบุนี้เพื่ออ้างอิงหรือเชื่อมต่อรายการนี้: https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/1518
ระเบียนเมทาดาทาแบบเต็ม
ฟิลด์ DC ค่าภาษา
dc.contributor.authorสุรสิงห์ ไชยคุณ
dc.contributor.authorนิรันดร์ วิฑิตอนันต์
dc.contributor.authorอดิศร บูรณวงศ์
dc.contributor.otherมหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned2019-03-25T09:07:09Z
dc.date.available2019-03-25T09:07:09Z
dc.date.issued2557
dc.identifier.urihttp://dspace.lib.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/1518
dc.description.abstractฟิล์มบางโครเมียมเซอร์โรเนียมไนไตร์ด (CrZrN) เคลือบบนกระจกสไลด์และแผ่นซิลิกอนด้วยวิธีดีซีรีแอคทีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง เพื่อศึกษาผลของกระแสสปัตเตอริงเป้าเซอร์โคเนียมและอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนต่อโครงสร้างฟิล์ม ทั้งนี้ลักษณะเฉพาะของฟิล์มที่เคลือบได้ด้วยเทคนิค XRD, AFM, EDX และ FE-SEM ผลการศึกษาพบว่า ฟิล์มที่เคลือบได้เป็นสารละลายของแข็งของ (Cr, Zr) N ระนาบ (111) และ (200)โครงสร้างของฟิล์มเปลี่ยนตามแนวอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนและกระแสไฟฟ้าของเป่าเซอร์โคเนียม (1) สำหรับกรณีแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน ขนาดผลึกและความหนาฟิล์ม มีค่าลดลงจาก 569 nm เป็น 363 nm และจาก 17.8 nm เป็น 13.4 nm ตามลำดับ เมื่อเพิ่มอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนค่าคงที่แลตทิซพบว่าค่าเพิ่มขึ้นจาก 4.327 A เป็น 4.425 A เมื่อเพิ่มอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน การวิเคราะห์ภาคตัดขวางแสดงให้เห็นว่าฟิล์มมีโครงสร้างแบบคอลัมนาร์และมีลักษณะแน่นมากขึ้นตามอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน และ (2) สำหรับกรณีแปรค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าเซอร์โคเนียม ขนาดผลึกมีค่าในช่วง 11.5-12.4 nm ค่าคงที่แลตทิซและความหนามีค่าเพิ่มขึ้นตามค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าเซอร์โคเนียมจาก 4.1704 A ถึง 4.3274 A และ 423 nm ถึง 569 nm ตามลำดับ การวิเคราะห์ภาคตัดขวางแสดงให้เห็นว่าฟิล์มมีโครงสร้างแบบคอลัมนาร์และมีลักษณะแน่นมากขึ้นเมื่อเพิ่มค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าth_TH
dc.description.sponsorshipโครงการวิจัยประเภทงบประมาณเงินรายได้จากเงินอุดหนุนจากรัฐบาล (งบประมาณแผ่นดิน) ประจำปีงบประมาณ พ.ศ. 2557en
dc.language.isothth_TH
dc.publisherคณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพาth_TH
dc.subjectกระแสสปัตเตอริงth_TH
dc.subjectฟิล์มบางth_TH
dc.subjectรีแอคทีฟโคสปัตเตอริงth_TH
dc.subjectสาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์th_TH
dc.titleผลของกระแสเซอร์โคเมียมคาโทดที่มีต่อสมบัติของฟิล์มบางโครเนียมเซอร์เมียมไนไตรด์ที่เคลือบด้วยเทคนิคครีแอกทีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริงth_TH
dc.title.alternativeEffect of Zirconium cathode current on properties of chroomiumZirconium Nitride Thin film deposited by reactive magnetron Co-sputtering techniqueen
dc.typeResearchth_TH
dc.year2557
dc.description.abstractalternativeChromium zirconium nitride (CrZrN) thin films were deposited on glass slide and Si by reactive magnetron co-sputtering method. The effect of the N2 gas flow rate and the zirconium sputtering current on the films’ structure was investigated. The as-deposited films were characterized by XRD, AFM, EDX and FE-SEM. The results showed that the as-deposited films were (Cr,Zr)N Solid solution with (111) and (200) planes. The structure of the as-deposited films varied with the zirconium sputtering current and the N2 gas flow rates. (1) In case of varied N2 gas flow rate, the crystal size and thickness decreased from 569 nm to 363 nm and 17.8 nm to 13.4 nm, respectively, with increasing N2 gas flow rates. The lattice constant was found to increase from 4.327 A to 4.425 A with increasing N2 gas flow rate. The cross section analysis showed compact columnar and dense morphology as a result of increasing N2 gas flow rates. (2) In case of varied zirconium sputtering current, the crystal size was in range of 11.5-12.4 nm. The lattice constant and thickness were increased with increasing of the zirconium current from 4.1704 A to 4.3274 A and 423 nm to 569 nm, respectively. The cross section analysis showed compact columnar and dense morphology as increasing the zirconium current.en
ปรากฏในกลุ่มข้อมูล:รายงานการวิจัย (Research Reports)

แฟ้มในรายการข้อมูลนี้:
แฟ้ม ขนาดรูปแบบ 
2559_094.pdf9.68 MBAdobe PDFดู/เปิด


รายการทั้งหมดในระบบคิดีได้รับการคุ้มครองลิขสิทธิ์ มีการสงวนสิทธิ์เว้นแต่ที่ระบุไว้เป็นอื่น