การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนตที่เคลือบด้วยวิธีแอคตีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง

จินดาวรรณ ธรรมปรีชา

dc.contributor.advisor	นิรันดร์ วิทิตอนันต์
dc.contributor.advisor	สุรสิงห์ ไชยคุณ
dc.contributor.author	จินดาวรรณ ธรรมปรีชา
dc.contributor.other	มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned	2023-05-12T03:45:38Z
dc.date.available	2023-05-12T03:45:38Z
dc.date.issued	2561
dc.identifier.uri	https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/7310
dc.description	ดุษฎีนิพนธ์ (ปร.ด.)--มหาวิทยาลัยบูรพา, 2561
dc.description.abstract	ฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนต (ZrTiO4 ) ถูกเคลือบบนกระจกสไลด์ แผ่นซิลิกอน และแผ่นสเตนเลสด้วยวิธีรีแอคตีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง วัตถุประสงค์ของงานวิจัยนี้ศึกษาผลของการเคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงโดยไม่ให้ความร้อนเทียบกับการเคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงและให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 600˚C โครงสร้างผลึก ลักษณะเฉพาะสมบัติทางไฟฟ้าและทางแสงของฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนตถูกตรวจสอบด้วยการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ (XRD) กล้องจุลทรรศน์แรง อะตอม (AFM) กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดชนิดฟิลด์อิมิชชัน (FE-SEM) Precision 0 Parametric Analyzer และสเปคโตรโฟโตมิเตอร์ ตามลําดับ เมื่อฟิล์ม ZrTiO4 เคลือบที่กระแสไฟฟ้าสูงกว่า 2.0 A โดยไม่ทําให้ความร้อน พบโครงสร้างผลึกแบบออร์โธรอมบิก ระนาบ (111) เมื่อกระแสไฟฟ้าเท่ากับ 2.5 A โดยไม่ให้ความร้อน มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูงและการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำเท่ากับ 43.38 และ 0.003 ตามลําดับ สําหรับดัชนีหักเห (n) ค่าสัมประสิทธิrการดับสูญ (k) และความหนาแน่นของการบรรจุออปติคัลที่ความยาวคลื่น 650 นาโนเมตรมีค่าเท่ากับ 2.23, 0.008 และ 0.96 ตามลําดับ ในขณะที่แถบพลังงาน (Eg ) มีค่าประมาณ 4.07 eV จากการศึกษานี้พบว่าค่าดัชนีหักเหขึ้นอยู่กับความหนาแน่นของการบรรจุออปติคัล ส่วนฟิล์ม ZrTiO4 ที่เคลือบกระแสไฟฟ้าสูงเท่ากับ 2.5 A และให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 600˚C มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูง และการสูญเสียไดอิเล็กตริกต่ำเท่ากับ 81.39 และ 0.0018 ตามลําดับ ซึ่งมีค่าคงที่ไดอิเล็กตริกสูงกว่างานวิจัยอื่น เนื่องจากระบบสปัตเตอริงมีพลังงานสูง
dc.language.iso	th
dc.publisher	คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.rights	มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.subject	มหาวิทยาลัยบูรพา -- สาขาวิชาฟิสิกส์
dc.subject	ฟิล์มบาง
dc.subject	สปัตเตอริง (ฟิสิกส์)
dc.subject	คุณภาพกำลังไฟฟ้า
dc.subject	เซอร์โคเนียมไททาเนต
dc.title	การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางเซอร์โคเนียมไททาเนตที่เคลือบด้วยวิธีแอคตีฟแมกนีตรอนโคสปัตเตอริง
dc.title.alternative	Preprtion nd chrcteriztion of zirconium titnte thin film deposited by rective mgnetron co-sputtering method
dc.type	วิทยานิพนธ์/ Thesis
dc.description.abstractalternative	Zirconium Titanate (ZrTiO4 ) thin films were deposited on glass slides, silicon wafers and stainless steels by reactive dc magnetron co-sputtering method. The purpose of this study was to investigate the effects of high sputtering current without heating compare with high sputtering current and heating 600˚C. The crystal structure, surface morphology, dielectric and optical properties were characterized by X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), field emission scanning electron microscope (FE-SEM), precision impedance analyzer and spectrophotometer, respectively. At sputtering currents above 2.0 A without heating ZrTiO4 thin film has structured as the orthorhombic phase (111). When the sputtering currents is equal to 2.5 A without heating, the film has a high dielectric constant and low dielectric loss values in which 43.38 and 0.003, respectively. For the refractive index (n), extinction coefficient (k) and the optical packing density at wavelength 650 nm were found as 2.23, 0.008, and 0.96 respectively, while energy band gap (Eg ) was approximately 4.07 eV. From this study, it was observed that the refractive index values were dependent on optical packing density. ZrTiO4 films with a sputtering currents of 2.5 A heated with temperature at 600˚C provided a high dielectric constant and low dielectric loss were 81.39 and 0.0018, respectively. The dielectric constant is higher than other research because the sputtering system has high energy.
dc.degree.level	ปริญญาเอก
dc.degree.discipline	ฟิสิกส์
dc.degree.name	ปรัชญาดุษฎีบัณฑิต
dc.degree.grantor	มหาวิทยาลัยบูรพา