การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมอะลูมิเนียมไนไตรด์โครงสร้างนาโนที่เคลือบด้วยวิธีรีแอกทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริงจากเป้าสารเคลือบแบบอัลลอย

สุวรรณี พัดศรี

dc.contributor.advisor	นิรันดร์ วิทิตอนันต์
dc.contributor.advisor	อดิศร บูรณวงศ์
dc.contributor.author	สุวรรณี พัดศรี
dc.contributor.other	มหาวิทยาลัยบูรพา. คณะวิทยาศาสตร์
dc.date.accessioned	2023-09-18T07:56:44Z
dc.date.available	2023-09-18T07:56:44Z
dc.date.issued	2564
dc.identifier.uri	https://buuir.buu.ac.th/xmlui/handle/1234567890/10205
dc.description	วิทยานิพนธ์ (วท.ม.)--มหาวิทยาลัยบูรพา, 2564
dc.description.abstract	ฟิล์มบางโครเมียมอะลูมิเนียมไนไตรด์ (CrAlN) เคลือบบนซิลิกอนด้วยวิธีรีแอกทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริงจากเป้าสารเคลือบแบบอัลลอย เมื่อแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนในช่วง 2 -6 sccm และแปรค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าสารเคลือบในช่วง 300 -700 mA ฟิล์มบางที่เคลือบได้นำไปวิเคราะห์ด้วยเทคนิค XRD, EDS, FE-SEM และ Nanoindentation ผลการศึกษา พบว่า (1) กรณีแปรค่าอัตราไหลแก๊สไนโตรเจนฟิล์มบางที่เตรียมได้เป็นชั้นเคลือบของ CrAlN ที่มีโครงสร้างแบบสารละลายของแข็ง (Cr,Al)N ที่ระนาบ (111), (200) และ (220) ขนาดผลึกมีค่าในช่วง 14.60 -24.69 nm ค่าคงที่แลตทิชมีค่าในช่วง 4.121 -4.145 Å ฟิล์มบางที่เตรียมได้มีโครเมียม อะลูมิเนียมและไนโตรเจนเป็นองค์ประกอบธาตุทางเคมีในอัตราส่วนต่าง ๆ ฟิล์มบาง CrAlN ที่เคลือบที่อัตราไหลแก๊สไนโตรเจนต่ำ มีลักษณะแน่นทึบ และเปลี่ยนเป็นโครงสร้างแบบคอลัมนาร์เมื่อเคลือบที่อัตราไหลแก๊สไนโตรเจนสูงขึ้น ความหนาของฟิล์มบางลดลงจาก 1610 เป็น 652 nm (2) กรณีแปรค่ากระแสไฟฟ้าของเป้าสารเคลือบฟิล์มบางที่เตรียมได้เป็นชั้นเคลือบของ CrAlN ที่มีโครงสร้างแบบสารละลายของแข็ง (Cr,Al)N ที่ระนาบ (111), (200) และ (220) ขนาดผลึกมีค่าในช่วง 15.58 -26.24 nm ค่าคงที่แลตทิชมีค่าในช่วง 4.122 -4.149 Å ฟิล์มบางที่ได้มีโครเมียมอะลูมิเนียมและไนโตรเจนเป็นองค์ประกอบธาตุทางเคมีในอัตราส่วนต่าง ๆ ฟิล์มบางมีโครงสร้างแบบคอลัมนาร์ (3) ความแข็งของฟิล์มบางวัดจากเทคนิค Nanoindentation เมื่อเพิ่มอัตราไหลแก๊สไนโตรเจน ความแข็งของฟิลม์ มีค่าเพิ่มขึ้นจาก 13.98 เป็น 31.35 GPa เมื่อเพิ่มกระแสไฟฟ้าของเป้าสารเคลือบ ความแข็งของฟิล์มมีค่าลดลงจาก 31.27 เป็น 16.64 GPa
dc.language.iso	th
dc.publisher	คณะวิทยาศาสตร์ มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.rights	มหาวิทยาลัยบูรพา
dc.subject	มหาวิทยาลัยบูรพา -- สาขาวิชาฟิสิกส์
dc.subject	ฟิล์มบาง
dc.subject	โครเมียม
dc.title	การเตรียมและศึกษาลักษณะเฉพาะของฟิล์มบางโครเมียมอะลูมิเนียมไนไตรด์โครงสร้างนาโนที่เคลือบด้วยวิธีรีแอกทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอริงจากเป้าสารเคลือบแบบอัลลอย
dc.title.alternative	Preprtion nd chrcteriztion of nnostructured crln thin films deposited by rective dc mgnetron sputtering method from lloy trget
dc.type	วิทยานิพนธ์/ Thesis
dc.description.abstractalternative	Chromium aluminum nitride (CrAlN) thin films were deposited on Si by reactive dc magnetron sputtering method from alloy target. As varied the nitrogen gas flow rates, in range of 2 -10 sccm and varied sputtering current, in range of 300 -700 mA. The as-deposited films were characterized by XRD, EDS, FE-SEM and Nanoindentation. The results showed that (1) in case of varied nitrogen flow rates, the as-deposited films were CrAlN with the solid solution structure of (Cr,Al)N with (111), (200) and (220) planes. The crystal size was in range of 14.60 -24.69 nm. The lattice constant was in range of 4.121 -4.145 Å. The as-deposited film composes of chromium, aluminum and nitrogen in different ratios. The CrAlN thin films deposited at low nitrogen gas flow rate showed the dense morphology and turned to be the columnar structure at higher nitrogen gas flow rate. The thickness of thin films decreased from 1610 to 652 nm. (2) in case of varied sputtering current, the as-deposited films were chromium aluminum nitride coating with the solid solution structure of (Cr,Al)N with (111), (200) and (220) planes. The crystal size was in range of 15.58 -26.24 nm. The lattice constant was in the range of 4.122 -4.149 Å. The as-deposited film composes of chromium, aluminum and nitrogen in different ratios. The films were the columnar structure. (3) The hardness of thin films were obtained from nanoindentation method, with increasing nitrogen flow rate, the hardness of thin films increased from 13.98 to 31.35 GPa. As increasing of sputtering current, the hardness of thin films decreased from 31.27 to 16.64 GPa.
dc.degree.level	ปริญญาโท
dc.degree.discipline	ฟิสิกส์
dc.degree.name	วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต
dc.degree.grantor	มหาวิทยาลัยบูรพา